硅太阳能电池 高级原理与实践

1 (p1): 第1章 引言
2 (p2): 参考文献
3 (p3): 第2章 晶体结构与能带
3 (p4): 2.1 引言
3 (p5): 2.2 晶体结构
4 (p6): 2.3 薛定谔波动方程
4 (p7): 2.4 倒易晶格
6 (p8): 2.5 能带
8 (p9): 2.6 电子的态密度与占有概率
9 (p10): 2.7 动量与有效质量
11 (p11): 参考文献
13 (p12): 第3章 声子、光子与激子
13 (p13): 3.1 引言
13 (p14): 3.2 声子
14 (p15): 3.3 光子
15 (p16): 3.4 拉曼散射
17 (p17): 3.5 激子
18 (p18): 参考文献
19 (p19): 第4章 硅的光学性质
19 (p20): 4.1 引言
19 (p21): 4.2 纯硅对光的吸收
19 (p22): 4.2.1 一般情况
20 (p23): 4.2.2 声子辅助的光吸收过程
22 (p24): 4.2.3 吸收边
23 (p25): 4.2.4 波长调制光谱法
24 (p26): 4.2.5 多声子过程
26 (p27): 4.2.6 直接吸收
28 (p28): 4.2.7 自由载流子与晶格吸收
29 (p29): 4.3 折射率
30 (p30): 4.4 温度依从性
31 (p31): 4.5 重掺杂硅
33 (p32): 4.6 其他吸收过程
33 (p33): 参考文献
35 (p34): 第5章 产生、复合与载流子输运
35 (p35): 5.1 一般公式
35 (p36): 5.2 产生
36 (p37): 5.3 复合
36 (p38): 5.3.1 概述
37 (p39): 5.3.2 辐射复合
37 (p40): 5.3.3 带对带俄歇复合
39 (p41): 5.3.4 通过缺陷能级的复合
43 (p42): 5.4 载流子输运
43 (p43): 5.4.1 漂移和扩散
43 (p44): 5.4.2 玻耳兹曼输运方程
44 (p45): 5.4.3 多数载流子和少数载流子迁移率
47 (p46): 5.4.4 高注入的迁移率
47 (p47): 5.4.5 激子输运
48 (p48): 5.4.6 重掺效应
51 (p49): 参考文献
54 (p50): 第6章 光陷阱
54 (p51): 6.1 引言
54 (p52): 6.2 随机陷光
56 (p53): 6.3 几何陷光
56 (p54): 6.3.1 介绍
57 (p55): 6.3.2 二维几何结构
58 (p56): 6.3.3 三维几何结构
62 (p57): 6.4 实验结果
63 (p58): 6.5 聚光太阳能电池
64 (p59): 6.6 电池封装中的光陷阱
66 (p60): 参考文献
68 (p61): 第7章 基础效率极限
68 (p62): 7.1 引言
68 (p63): 7.2 光生电流限制
70 (p64): 7.3 开路电压极限
70 (p65): 7.3.1 一般情况
70 (p66): 7.3.2 低注入条件
73 (p67): 7.3.3 狭窄基区，高注入条件
74 (p68): 7.4 填充因子极限
75 (p69): 7.5 效率极限
75 (p70): 7.5.1 非聚光电池
76 (p71): 7.5.2 聚光太阳能电池
77 (p72): 7.6 材料要求
79 (p73): 7.7 突破效率极限
81 (p74): 参考文献
82 (p75): 第8章 阈下载流子生成
82 (p76): 8.1 引言
83 (p77): 8.2 锗合金
84 (p78): 8.3 杂质光伏效应
84 (p79): 8.3.1 简介
84 (p80): 8.3.2 光学俘获截面
85 (p81): 8.3.3 设计理念
86 (p82): 8.3.4 个例分析——铟
88 (p83): 8.3.5 其他掺杂物质
89 (p84): 8.3.6 细致平衡分析
90 (p85): 8.4 其他设计
90 (p86): 8.4.1 植入缺陷层
90 (p87): 8.4.2 Delta掺杂
91 (p88): 8.5 层叠电池
91 (p89): 参考文献
94 (p90): 第9章 表面、接触与体区性质
94 (p91): 9.1 引言
94 (p92): 9.2 表面复合
94 (p93): 9.2.1 界面态与氧化层陷阱
98 (p94): 9.3 界面态复合
98 (p95): 9.3.1 独立离散界面态
98 (p96): 9.3.2 独立连续界面态
98 (p97): 9.3.3 等量俘获截面
99 (p98): 9.3.4…